汤艺女士，副总经理，1973 年出生，美国国籍，2003 年博士毕业于美国仁 斯利尔理工学院（RPI）电子工程系，2003 年 7 月至 2015 年 3 月在美国国际整 流器公司（International Rectifier）工作，历任集成半导体器件高级工程师、主管 工程师、高级主管工程师、IGBT 器件设计经理、IGBT 器件设计高级经理。2015 年加入公司，现任公司副总经理，负责 IGBT 芯片技术研发工作。
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