SangBum Kim于2001年在韩国首尔首尔大学获得学士学位,并获得硕士和博士学位。2003年至2010年在斯坦福大学•电气工程系•纳米电子集团担任研究助理,2010年至今在IBM•科技•相变记忆研究担任研究人员。2005年和2010年,加州斯坦福大学斯坦福大学,电气工程学士学位。他的博士论文着重于相变存储器(PCM)的可扩展性和可靠性,包括缩放规则分析,锗纳米线二极管作为可扩展选择器件,热干扰,漂移和阈值切换。他目前是IBM TJ沃森研究中心的研究人员。他目前的研究兴趣包括PCM器件的表征和建模。 著有基于ALD的限制PCM与金属衬垫朝向无限耐力、新兴内存系统中模拟编码的机会、使用非易失性记忆的神经元计算、保留多层单元相变存储器程序评估度量、用于存储类存储器(SCM)应用的2位/单元相变存储器的新型自会聚写入方案等特色研究文章。
活动家是第三方嘉宾邀约平台。可根据演讲议题、会议日期、活动预算等要求,为您提供该领域内专业嘉宾演讲邀约服务,专家学者嘉宾远程视频分享发言,祝福致辞视频拍摄,网红明星艺人VCR活动录制,代言邀约,企业家国际顾问咨询服务。您可准备好活动信息后,联系电话:18911802888(王老师)(工作日9时至18时,仅邀约嘉宾出席活动,其他需求勿扰)